ScAlN化合物材料生长与微结构调控课题组负责人樊士钊，2020年全职加入中国科学院苏州纳米所，获中国科学院“率先行动”引才计划支持。2016年博士毕业于加拿大麦吉尔大学(McGillUniversity)，之后于美国伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校(UIUC)从事博士后研究工作，长期致力于III-V族化合物半导体材料外延生长与器件结构研究。近年来发表学术论文四十余篇，其中以第一作者/通讯作者在Advanced Energy Materials、Nano Letters、Solar Energy Materials and Solar Cells、Applied Physics Letters等期刊上发表论文十余篇。课题组独立搭建了一套4英寸III族氮化物分子束外延系统(MBE)，围绕该系统建成万级无尘MBE实验室，专注于III族氮化物外延材料生长，另有100m²化学实验室用于器件工艺、材料分析。课题组生长的ScAlN/GaN异质结外延材料已展示出与国际先进水平相当的二维电子气性能，并初步证实了ScAlN单晶薄膜的铁电翻转特性。

一、研究方向

1.ScAlN/GaN异质结的外延生长与功率射频HEMT器件研究；

2.高Sc组分ScAlN单晶薄膜生长与铁电忆阻器、体声波射频滤波器研究；

3.“自底向上”选区外延InGaN纳米柱周期阵列的外延生长与光子晶体Micro-LED研究。

二、招聘岗位及要求

岗位1：特别研究助理（博士后）2名

1.岗位职责

从事III族氮化物MBE生长动力学研究以及器件制备、性能分析

2.岗位要求

（1）已获得或即将获得电子信息、应用物理、微电子等相关学科博士学位，有III-V族化合物半导体材料与器件研制背景者优先考虑；

（2）在相关知名国际刊物以第一作者发表过学术论文，有良好的英文读写能力和独立科研能力；

（3）身心健康，热爱科研，有良好的团队协作能力和沟通能力，工作严谨认真负责，自学能力强；

（4）办事认真踏实，有责任感，有团队沟通能力。

3.薪酬待遇

固定薪酬：

博士后在站期间，固定薪酬28万元起，特别优秀者固定薪酬58万元起，另加奖励绩效。

可争取的其他个人补贴：

（1）入选江苏省卓越博士后计划，可获得50万元/30万元/20万元人才津贴。

（2）入选博新计划，可获得32万元生活补贴。

（3）入选中国科学院特别研究助理资助项目或研究所“优秀博士后计划”，可获得12万元人才津贴。

（4）获得中国博士后科学基金面上资助和特别资助（项目经费8-18万元），分别给予2万元、5万元补贴。

福利待遇：

在站期间可参加副高级岗位晋升，通过评审可聘为副高级岗位（入编）；可申请各类科研项目；可获得公派出国深造的机会；同时享有人才优购（公积金贷款2-3倍）、协助子女入学等待遇；

出站留苏30万元安家补贴。

岗位2：工程师/助理工程师2人

1.岗位职责：MBE外延工程师，MBE系统维护与实验室管理

2.岗位要求：

（1）已获得或即将获得电子信息、应用物理、微电子等相关学科专科及以上学历，年龄一般不超过30岁；

（2）较好的文案写作能力和较强的计算机软件学习能力，能阅读英文文献和实验方案；

（3）吃苦耐劳、身体素质好，热爱科研，有良好的团队协作能力和沟通能力，工作严谨认真负责，自学能力强；

（4）办事认真踏实，有责任感，乐于助人、善于合理安排事务，具备一定的管理能力。

3.薪酬待遇

薪资福利待遇按苏州纳米所和国家规定执行，提供月工资+绩效+年终奖励+五险一金，享受餐补、带薪休假、职工体检、工会福利等福利。

三、应聘方式

1．申请者请将以下资料通过邮箱发送到szfan2020@sinano.ac.cn，请【点击下方“立即投递/投递简历”，即刻进行职位报名】，邮件标题格式：“目前所在单位+姓名+应聘岗位”；

2．个人简历（包含学习和工作经历、发表论文、参与项目等）；

3．代表性论文（不超过3篇）以及其他可以证明本人研究能力及水平的资料。

4．我们将以邮件或电话的方式通知初选通过的应聘者前来参加单位组织的面试。报名截止时间：招满为止。

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